高度工程化定制化的鑽石研磨盤,利用燒結工藝,提供極其穩定均勻的鑽石排布、銳利度及高度,專為半導體高階CMP應用提供解決方案。
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目前查看的產品 3M™ 鑽石墊修整器環 | ||
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| 底座直徑(公制) | 260 公釐, 360 公釐 | |
| CMP製程 | Cu (Bulk), PMD/ILD, W (Bulk) | |
| 鑽石直徑 | 181 μm, 251 μm |