3M™ 鑽石研磨盤C系列

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優化的鑽石形狀、節距控制和鑽石方向

提高一致性並減少鑽石研磨盤間差異

研磨墊磨損率衰減較慢，移除率和profile穩定

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產品亮點

優化的鑽石形狀、節距控制和鑽石方向
提高一致性並減少鑽石研磨盤間差異
研磨墊磨損率衰減較慢，移除率和profile穩定
具有延長鑽石研磨盤壽命和研磨墊壽命的潛力
採用 3M 燒結磨料技術，實現堅固的鑽石附著力
與傳統設計相比，平整度控制提高了 40%
與所有 3M™ CMP 墊片研磨盤塗層相容，且僅需進行最少的工藝變更
當與3M™ CMP墊片研磨盤塗層結合使用時，是金屬敏感工藝的良好選擇

3M™ 鑽石研磨盤C 系列是一款高度工程化的化學機械平坦化 (CMP) 研磨盤，可協助您在關鍵的半導體 CMP 應用中提供可靠的效能。使用 3M™ 鑽石研磨盤C 系列刷新您的 CMP 拋光墊表面。它還可以最大程度地減少磨損並保持一致的粗糙度和一致的研磨墊性能。這些鑽石研磨盤採用 3M 專有的燒結磨料技術，可實現出色的鑽石保持力，與傳統鑽石研磨盤相比，有助於實現更長的使用壽命以及更好的形狀和鑽石方向控制。改進的一致性和更小的變化使您能夠減少變數並優化 CMP 效能。