高度工程化定制化的鑽石研磨盤,利用燒結工藝,提供極其穩定均勻的鑽石排布、銳利度及高度,專為半導體高階CMP應用提供解決方案。
使用 3M™鑽石研磨盤讓您的 CMP 墊表面煥然一新。還可以最大限度地減少磨損並保持一致的粗糙度和一致的研磨墊性能 。 3M 的 CMP 鑽石研磨盤利用燒結磨料技術實現出色的鑽石保留,從而延長使用壽命,並控制鑽石的放置和突出。它們的單層鑽石網格具有高度可控的間距,使您能夠更好地預測和優化 CMP 墊的使用,從而提高平坦化效率。
| 底座直徑(公制) | 107.95 mm | |
| CMP製程 | Cu (Bulk), PMD/ILD, STI 製成, W (Bulk) | |
| 鑽石直徑 | 251 μm |