3M™ 黑色導電型PC料帶 3200R Series
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詳細訊息
產品亮點
- 超小的口袋孔，可幫助 防止焊球陷在口袋孔中
- 3M 光學精密製程可產出小於 0.01 mm 的超小口袋孔
- 減小口袋開口半徑（元件厚度需≤0.15mm）
- ３Ｍ製程可以大大減少可能污染IC晶元的毛邊產生
- 最大限度地減少元件滑動和裂損，最大限度地提高客戶產量
- 獨特的凸起平台設計有助於防止元件傾斜和錯位
- 載帶表面電阻約為10^5 ohms/sq，為您提供抗靜電解決方案
- 可搭配3M™ 透明導電級常溫自黏帶(PSA)以及3M™ 透明雙面抗靜電熱封帶(HAA)
3M™ 聚碳酸酯載體 3200R 系列是小型薄元件封裝的理想選擇，無需擔心晶片滑動和焊球沾黏等問題。精密製程可產出超小（<0.1mm）口袋孔，這是使用當前傳統的機械沖孔方法無法實現的。操作員可以保持最佳真空壓力 - 防止焊球粘在口袋孔中。這種載帶還允許極小的開口半徑控制和精確的口袋公差，有助於減少晶元旋轉、傾斜和滑動以及對半導體晶元的損壞。
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更小的口袋孔與更小的倒角半徑控制
對於越來越小的半導體元器件，3M™聚碳酸酯載帶3200 R具有迷你的載帶口袋孔，倒角半徑控制<0.1 mm。
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光學精密工藝
口袋孔由3M光學精密工藝製造，相比於當前常規機械沖孔方法，可以實現更小的口袋孔。這一過程也減少了潛在污染IC晶片的外界雜質的數量，也幾乎消除了可能導致載帶污染缺陷的碎片。
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倒角半徑控制
口袋倒模角半徑控制小於0.1 mm/0.12 mm，口袋公差低至0.02，3M™ 聚碳酸酯載帶3000R有助於減少較薄、超薄和超小型元器件在運輸過程中發生傾斜、滑移、開裂等事故。
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精確的口袋公差
3M™聚碳酸酯載帶3200 R系列的表面抬高設計將載帶和蓋帶之間的間隙最小化，且減少頂部口袋邊緣的寬度和曲度。口袋公差±0.03 mm和低至±0.02 mm有助於最大限度地減少口袋變化，保護超薄或超小型元器件，防止其傾斜或滑移。
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