100多年來,3M與客戶合作,開發了創新型過濾和純化產品,可滿足半導體生產不斷變化的需求。
超純水(UPW)主要用於去除晶圓表面可能造成缺陷的污染物,並在晶圓(在各種製程中)接觸化學品後進行沖洗或清潔。
3M的過濾和脫氣膜產品能夠根據需要減少顆粒,並控制溶解氣體 (O₂ 和 CO₂),滿足半導體和電子行業的嚴格要求。
化學機械拋光(CMP)製程結合了超細磨料的化學(酸性或鹼性)漿液與拋光產生的機械力,可對不平整的區域進行平整。對於多級金屬化製程,每當添加新的金屬層,被覆蓋塗層的缺陷就會放大。後續的光刻製程可通過CMP提高精度。
3M可提供過濾解決方案,以控制CMP製程中漿液的顆粒尺寸,從而確保晶片製造商繼續縮小新一代設備所需電路的尺寸。
微影製程主要在晶圓上繪製電路。可去除高純度化學品中的多餘有機污染物、顆粒和離子金屬物,從而減小設備尺寸。
3M的過濾和純化產品可減少污染物,從而滿足高性能半導體生產的需要。
電鍍解決方案需要嚴格的顆粒和溶解氣體控制,以防止沉積金屬層出現缺陷和雜質。
3M可提供顆粒和溶解氣體解決方案,以滿足電鍍製程的需要。
在濕式加工過程中,半導體設備需要反覆浸泡、浸漬或噴灑溶液,即使存在清潔步驟,晶圓表面的污染也會導致設備故障。隨著設備功能不斷縮減,確保生產製程使用的酸、鹼和溶劑純度仍很重要。
對於大部分酸、鹼、酒精和蝕刻劑,3M都能根據具體化學應用提供合適的過濾系統。
半導體生產需要大量化學品,必然會產生大量廢水。不同的製造流程會產生各種廢水污染物。
3M可提供過濾解決方案,通過過濾廢水來保護環境,同時滿足日益嚴格的排放要求。
3M™ Liqui-Cel™膜接觸器設計緊湊,可實現高效的溶解氣體控制。這些氣體輸送裝置可向相容的液體流中添加氣體,或去除溶解的氣體和氣泡,並採用中空纖維膜技術,有助於世界各地的相關設施提高運行效率、性能,同時確保產品品質。
我們的應用工程師將協助您找到合適的3M過濾及分離解決分案,並根據您的製程和需求進行產品測試、提供性能數據。