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半導體
Man in scrubs holding clear blue disc for semiconductor process protection solutions.
半導體製程保護解決方案
通過3M半導體工藝保護膠帶解決方案，在高溫和化學製程中保護產品表面，以確保產品品質的一致性並提高產量。
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3M半導體先進封裝製程保護解決方案

  • 5G、自動駕駛、物聯網和其他新興技術等應用的設備拓展和設計要求，推動了對先進IC封裝構建更小、更薄、更快、功能更強的晶片的需求。製造這些先進晶片意味著更多的加工步驟，製程溫度會更高，化學製程性能要求也不同。

    3M™耐溫性聚醯亞胺膠帶專為不同的高溫和化學製程開發，協助您保護感測器和先進封裝基板，並探索未來更多的可能性。即將推出的凸塊保護產品致力於促進焊接凸塊在先進封裝制程中的良率。

    無論您需要測試材料的相容性，還是遇到新的需求挑戰，我們的專業科學家團隊都能在每個環節分享知識，全球產品開發團隊和生產基地也會提供相應支援。3M致力更好的先進封裝製程保護解決方案。

使用經過嚴格保護測試的膠帶來優化產品評估

  • 為保護設備和元件，您需要3M提供的高品質材料。我們的製程保護膠帶在黏性、耐熱性和耐化性方面經過了嚴格的可行性測試，以滿足先進的積體電路封裝和相關高溫製程的最新要求。

    3M製程保護解決方案的產品可行性測試範例包括：
     

    • 對各種材料的黏度
    • 殘留物分析
    • 高溫暴露和焊料回焊後的黏性
    • 使用過程中以及通過高溫和化學品暴露的抗靜電性能

    我們的全球材料專家和產品開發團隊可以與您攜手，針對特定的耐熱性、使用時間和化學要求，測試材料並為您的製程提供理想的選擇方案。

  • 半導體先進封裝的主要趨勢

    晶片內埋式載板

    縮小厚度尺寸的一種常見方式就是將晶片嵌入載板中。這種創新方法將積體電路植入層壓載板，然後利用鍍銅通孔將其與其他元件（其他晶粒、MEMS等）相鄰排列連接，實現整合多功能封裝。

    3M公司的製程保護解決方案可以實現載板技術中嵌入式晶片的高溫和化學處理步驟。

瞭解3M工藝保護解決方案

我們的解決方案適用於廣泛的製程，包括FOPoP、D2W混合鍵結、RDL last製程等。

QFN

高效能貼合與遮蔽解決方案

更順暢與快捷的引線框架生產

3M導線架膠帶有助於加快生產並減少晶粒打件、Au/Cu 打線鍵結和模封過程中不良品。我們的耐熱 QFN導線架遮蔽膠帶解決方案經過精心設計，可承受行業向銅線鍵結方向發展所需的更高焊接溫度。我們的貼合導線架膠帶提供出色的黏晶推力值，可控制晶片位移並提高產量。

導線架膠帶製程流程圖

  • 引綫框架膠紙工藝流程分步圖。

    A. 導線架  B. 晶片  C. 膠帶   D. 打線  E. 模封

    1. 將膠帶貼合至導線架上  
      • 易於貼合
    2. 晶片黏合  
      • 耐熱性良好（最高可耐受210°C/410°F，持續30分鐘）
    3. 金/銅打線接合  
      • 耐熱性良好（最多可耐受230°C/446°F，持續30分鐘）
    4. 電漿清洗  
      • 電漿耐受性能良好（可達30分鐘）
    5. 模封  
      • 耐熱性良好（最多可耐受190°C/374°F，持續5分鐘）
      • 黏晶推力值高 - 減少晶片位移
    6. 切割、去除膠帶、最終成品  
      • 易於剝離
      • 從導線架和被封模的元件上清除後不留殘膠
      • 具有良好的電漿耐受性能，適用於電漿清洗

凸塊保護

3M凸塊保護解決方案

有助於改善半導體晶片封裝製程

3M 凸塊保護膠帶與各種表面材質兼容，可用於 FOPoP 和 RDL-last 等製程，包括嵌入式晶片載板、D2W 混合鍵結等的應用。憑藉3M在黏合劑和電子產品方面超過一個世紀的經驗，它們可以在加工過程中實現更佳的熱預算、耐化性，且撕除後不留殘膠。

  • 扇出型層疊封裝工藝流程嘅分步圖。

    即將推出

    高溫凸塊保護膠帶可承受各種熱製程以及 FOPoP 中的 DRAM 堆疊和回焊，有助於防止凸塊變形。多層數版本膠帶結合了當前研磨膠帶和高溫膠帶的材料特性，所以不像傳統製程一樣需要使用兩張保護膠帶分別用於研磨和濺鍍。

    另外，這種膠帶創先採用橡膠型粘合劑，可以提供更厚的膠層、減少晶片移位和對小型內埋式元件的殘膠。

扇出型推疊封裝製程流程圖

  • 扇出型層疊封裝工藝流程嘅分步圖。

    A. 膠紙 B. 金屬框架 C. 晶片D. RDL E. 封裝晶片

    1. 將膠紙貼合在金屬框架上  
      • 易於貼合
    2. 將晶圓/晶片貼在膠紙上  
      • 常溫環境下粘性高
    3. 可進行多個晶片粘接（ 120°C/248°F - 180°C/356°F ）、回流焊（ 250°C/482°F - 260°C/500°F ）同塑封工藝  
      • 在高溫工藝中具有良好的凸塊保護性能，不會造成損壞
    4. 後期處理-膠紙撕除和檢查  
      • 經過熱處理後粘性較低，易於脫粘
      • 解離後便於清除，唔留痕

嵌入式基板封裝製程流程圖

    1. 把膠紙壓合喺FR4環氧樹脂面板同銅面（ PCB ）上
    2. 將晶片粘合至膠紙表面
    3. 使用半固化片進行晶片嵌入  
      • 控制晶片偏移性能良好
    4. 半固化片保溫固化  
      • 耐熱性良好（最高可耐受200°C/392°F，持續2小時）
      • 喺高溫工藝中具有很強的粘性
    5. 膠紙撕除  
      • 清除方便
      • 清除後晶片/凸塊上不留痕跡
  • 嵌入式晶片封裝工藝流程嘅分步圖。

    A. FR4基板， B. FR4基板開口， C. 銅， D.膠帶， E. 預浸料

帶凸塊晶圓的 BGBM 製程流程圖

  • 凸起封裝晶圓嘅BGBM工藝流程分步圖。

    A. 焊料凸塊， B. 凸塊保護膠帶， C. 電磁屏蔽(EMI shielding)

  • 該產品仍在開發中。工藝流程中的技術優勢僅供參考。

    1. 凸塊保護膠帶貼合  
      • 良好的凸點包覆性（高達 250um 凸塊高度），初始黏度高
    2. 研磨（BG）（可選則）  
      • BG製程後良好的總厚度變化（TTV）和翹曲（低至300um Si厚度）
    3. 熱和化學的背面加工（用於 EMI 屏蔽的濺鍍、晶片鍵結等）  
      • 良好的耐熱性（150 °C/302 °F - 200 °C/392 °F 多個小時），良好的耐化性，低釋氣
    4. 切割和從膠帶上拾取  
      • 易於移除，凸塊表面無殘膠

傳感器器件保護

探索新環境中的傳感器

提升半導體設計的靈活度

  • 3M™ 耐熱聚酰亞胺膠帶非常適合幫助保護傳感器，這一重要元件在半導體封裝中必須承受大量高溫和化學處理製程。不僅如此，該產品還可以幫助您擴展您的設計靈活度。這些膠帶與傳感器外殼材料兼容，例如擴散層、環氧樹脂、聚酰胺、LCP 和其它材料。並且貼合時不會脫膜或產生矽氧烷釋氣。它們很容易去除，不會損壞基板以及產生殘膠、染色或靜電。我們用於傳感器的半導體膠帶符合潔淨室製造標準。

感測器保護製程流程

  • Step-by-step graphic of the sensor protection process flow.

    A. 3M™ 耐溫性聚酰亞胺膠帶 B. 蓋板玻璃 C. 感測器晶片 D. 外殼

    1. 在感測器上貼上膠帶
    2. 一個或多個週期的回焊製程  
      • 具有良好的耐熱性，可在260攝氏度的條件下進行多次回焊且無脫膜現象
      • 無矽氧烷釋氣
    3. 去離子水/溶劑清洗過程
    4. 移除膠帶並檢查殘留物  
      • 移除後沒有殘膠
      • 抗靜電性能

耐熱工藝膠帶產品對比表

•=一般••=良好•••=優秀

* *銅的剝離力
**凸塊晶片上的剝離力

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