Man in scrubs holding clear blue disc for semiconductor process protection solutions.
半導體工藝保護解決方案

通過3M半導體工藝保護解決方案,保護先進封裝的高溫和化學工藝的表面,以確保產品一致性,提高產量。

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3M半導體先進封裝工藝保護解決方案

  •  5G、自動駕駛、物聯網和其他新興技術等應用的設備拓展和設計要求,推動了對先進IC封裝的需求,要構建更小、更薄、更快、功能更強的晶片。製造這些先進晶片意味著更多的加工步驟,溫度會升高,化學性能要求也不同。

    3M™熱阻性聚醯亞胺膠帶專為不同的高溫和化學工藝開發,説明您保護感測器和先進基板,並探索未來更多的可能性。即將推出的凸塊保護產品致力於促進焊接凸塊的先進封裝。

    無論您需要測試材料的相容性,還是遇到新的需求挑戰,我們的專業科學家團隊都能在每個環節分享知識,全球產品開發團隊和生產基地也會提供相應支援。3M助力更好的先進封裝工藝保護。

應用經過保護測試的膠帶來優化產品評估

  • 保護設備和元件時,您需要3M提供的高品質材料。我們的工藝保護膠帶在粘附性、耐熱性和耐化學性方面經過了嚴格的可行性測試,以滿足先進的積體電路封裝和相關高溫工藝的最新要求。

    3M過程保護解決方案的產品可行性測試的樣本包括:
     

    • 對各種材料的黏結力
    • 殘留物分析
    • 熱暴露和焊料回流後的黏結力
    • 在使用過程中以及通過溫度和化學品暴露的抗靜電性能

    我們的全球材料專家和產品開發網路可以與您攜手,針對特定的熱、時間和化學要求,測試材料並為您的工藝提供理想的選擇方案。

  • 半導體先進封裝的主要趨勢

    基板中的晶片

    縮小外形尺寸的一種常見方式就是將晶片嵌入基板中。這種創新方法將積體電路植入層壓板基板,然後利用鍍銅通孔將其與其他元件(其他晶粒、MEM等)相鄰排列,實現集成多功能封裝。

    3M公司的工藝保護解決方案可以實現基板技術中嵌入式晶片的高溫和化學處理步驟。


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3M™ 熱阻性聚醯亞胺膠帶

3M™熱阻性聚醯亞胺膠帶用於半導體先進IC封裝工藝保護

目標應用:四平無引線(QFN)引線框架、光學或健康感測器、印刷電路板(PCB)、先進基板

我們的專利矽酮和丙烯酸高溫膠帶是以聚醯亞胺為底的壓敏膠(PSA)。這些多功能膠帶為許多不同的應用提供了理想的解決方案。

  • Heat resistive polymide tapes for semiconductor IC packaging process protection.

    特色應用:光學和健康感測器保護

    • 感測器需要經受大量的高溫和化學處理。3M膠帶:
       

      • 具有很強的耐高溫性,最高耐受可達260攝氏度,持續幾分鐘(或幾個回流焊迴圈)
      • 易於清除,對基板表面沒有損害
      • 無殘留物,無污點
      • 潔淨室製造標準
      • 抗靜電性能,防止對設備的損害

      3M™熱阻性聚醯亞胺膠帶的發展計畫包括:通過熱啟動交聯設計,根據客戶的需求設計粘附曲線,粘附在難處理的表面(例如,低Dk/Df材料和玻璃上的可變塗層),以及抗持續的水和溶劑清洗過程。

      聯繫3M專家


感測器保護過程流程

  • Step-by-step graphic of a the sensor protection process flow.

    A.3M™熱阻性聚醯亞胺膠帶 B.蓋板玻璃 C.感測器晶片 D.外殼

  • 1. 在感測器包上綁紮
     
    2. 一個或多個週期的回流焊工藝
     
    • 具有良好的耐熱性,可在260攝氏度的條件下進行多次回流焊接,無分層現象
    • 無矽氧烷廢氣
    3. Dl水/溶劑清洗過程
     
    4. 移除膠帶並檢查殘留物
     
    • 移除後沒有膠黏劑殘留物
    • 抗靜電性能

3M™熱阻性聚醯亞胺膠帶技術資料表


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開發中 - 3M公司的凸塊保護膠帶

旨在幫助您提高加工效率的凸塊保護膠帶

目標應用:晶圓級晶片級封裝(WLCSP)、扇出型晶圓級封裝(FOWLP)、先進基板、IGBT、嵌入式晶圓級球柵陣列(eWLB)。

  • 我們目前正在開發一種膠黏劑,旨在為背面研磨、封膠和其他熱和化學過程中的焊接凸點提供良好的保護。

    該膠帶結合了目前背面研磨和高溫膠帶材料的特性,消除了背面研磨、濺射等兩種保護膠帶的需要。這一進步有助於在工藝流程中減少步驟,提升效率。

    可以要求對3M減振保護膠帶進行以下產品可行性測試:
     

    • 減振性
    • 背磨性

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針對帶有凸起晶圓的BGBM工藝流程

  • Step-by-step graphic of the process flow for BGBM with bumped wafer.

    A.錫鉛凸塊 B. 鈍化 C. 減振保護膠帶

  • 該產品仍在開發中。工藝流程內的技術優勢僅作參考。


    1. 保護膠帶的貼合
     

    • 良好的錫球包覆性

    2. 背面研磨
     

    • 背面研磨完成後具有良好的總厚度變化(TTV)

    3. 背面加工(濺射、重新分佈層[RDL]、PI塗層等)
     

    • 良好的耐熱性和良好的耐化學性

    4. 膠帶移除
     

    • 凸點表面乾淨,易於清除

聯繫3M專家,瞭解更多關於3M™熱阻性聚醯亞胺膠帶和未來的錫球保護膠帶

為您帶來更好的保護。我們在全球各地的重點區域都設有服務團隊,致力於挖掘各種薄膜的潛力。